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DMTH6005LPSQ-13  与  BSC076N06NS3 G  区别

型号 DMTH6005LPSQ-13 BSC076N06NS3 G
唯样编号 A-DMTH6005LPSQ-13 A-BSC076N06NS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.6mΩ@50A,10V
上升时间 - 40ns
Qg-栅极电荷 - 50nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2962 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 30S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 47.1 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI5060-8 TDSON-8-5
工作温度 -55℃~175℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 20.6A(Ta),100A(Tc) 50A
配置 - Single
长度 - 5.9mm
下降时间 - 5ns
高度 - 1.27mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 3.2W(Ta),150W(Tc) 69W
RdsOn(Max)@Id,Vgs 5.5mΩ@50A,10V -
典型关闭延迟时间 - 20ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 15ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMTH6005LPSQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 当前型号
BSC076N06NS3GATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC076N06NS3 G_8-PowerTDFN

暂无价格 0 对比
BSC076N06NS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC076N06NS3GATMA1_5.9mm TDSON-8-5

暂无价格 0 对比
DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI5060-8

暂无价格 0 对比

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